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400-68-17025

產(chǎn)品名稱：場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

產(chǎn)品型號(hào)：Sigma 360

產(chǎn)品品牌：Zeiss 蔡司

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客服熱線：400-68-17025(09:00 - 22:00)

服務(wù)承諾：真實(shí)描述正品銷售售后保障

  • 產(chǎn)品詳情

Sigma 360 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）

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蔡司Sigma系列產(chǎn)品集場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術(shù)與良好的用戶體驗(yàn)于一體，可輕松實(shí)現(xiàn)成像和分析程序，提高工作效率。 您可以將其用于新材料和顆粒的質(zhì)量監(jiān)測(cè)，或用于生物和地質(zhì)樣品的研究。在高分辨率成像方面精益求精——采用低電壓，在1 kV或更低電壓下獲得更佳的分辨率和襯度。它出色的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可執(zhí)行高級(jí)顯微分析，以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數(shù)據(jù)。

 

使用Sigma系列，暢游高端納米分析世界。

●　Sigma 360 — 一款直觀的成像和分析FE-SEM，是分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選。

●　Sigma 560 — 采用先進(jìn)的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)，可提供高通量分析，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)原位實(shí)驗(yàn)。

NanoVP應(yīng)用案例

直觀成像工作流為您指引方向

從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果，每一步都清晰明了

★ 即使您是新手用戶，也能輕松獲得專業(yè)結(jié)果。Sigma系列可迅速獲取圖像，易于學(xué)習(xí)和使用的工作流程可節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間，簡(jiǎn)化從導(dǎo)航到后期處理的每個(gè)步驟，讓您如虎添翼。

★ 蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動(dòng)化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。

★ 接下來，ZEN core便可大顯身手：它配備針對(duì)具體任務(wù)的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦基于機(jī)器學(xué)習(xí)的人工智能工具包，它可助您進(jìn)行圖像分割，將多模式實(shí)驗(yàn)與Connect Toolkit相結(jié)合，此外，Materials應(yīng)用程序還能分析微觀結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或涂層厚度。

從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果，每一步都清晰明了

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

增強(qiáng)的分辨率，優(yōu)化的襯度

★ 光學(xué)鏡筒是成像和分析性能的關(guān)鍵。Sigma配備蔡司Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)，可對(duì)任何樣品提供出色的成像分辨率，尤其是在低電壓條件下。

★ Sigma 360的低電壓分辨率目前規(guī)定500 V時(shí)為1.9nm。通過減少色差影響，已實(shí)現(xiàn)將1 kV 的分辨率提高10% 以上。

★ 現(xiàn)在成像比以往任何時(shí)候都輕松，無論是要求嚴(yán)苛的樣品，還是在可變壓力（VP）模式下采用背散射探測(cè)。

可在極端條件下完成可變壓力成像

可在極端條件下完成可變壓力成像

用于分析和成像的NanoVP lite模式

★ 全新的?NanoVP lite模式和探測(cè)器可輕松在低于5 kV的條件下從絕緣材料中獲得高質(zhì)量數(shù)據(jù)。 ★ 這樣就可增強(qiáng)成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時(shí)間，增強(qiáng)入射電子束流，提高能譜面分布速度。 ★ aBSD1（環(huán)形背散射電子探測(cè)器）或新一代C2D（級(jí)聯(lián)電流）探測(cè)器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

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技術(shù)

Gemini光學(xué)鏡筒截面示意圖，包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測(cè)器和Gemini物鏡。
Gemini光學(xué)鏡筒截面示意圖，包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測(cè)器和Gemini物鏡。

Gemini 1的光學(xué)系統(tǒng)

Gemini 1的光學(xué)系統(tǒng)由三個(gè)元件組成：物鏡、電子束推進(jìn)器和具有Inlens探測(cè)原理的探測(cè)器。其中，物鏡的設(shè)計(jì)將靜電場(chǎng)與磁場(chǎng)的作用力相結(jié)合，大大優(yōu)化光學(xué)性能的同時(shí)，降低了樣品所處的場(chǎng)影響。如此也可實(shí)現(xiàn)對(duì)磁性材料等具有挑戰(zhàn)性的樣品的高品質(zhì)成像。Inlens探測(cè)原理通過對(duì)二次電子（SE）和/或背散射電子（BSE）的探測(cè)來確保高效的信號(hào)檢測(cè)，同時(shí)大幅縮短獲取圖像的時(shí)間。電子束推進(jìn)器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。
Sigma的Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測(cè)器。1 Inlens探測(cè)器，SE或Duo。2 ETSE探測(cè)器、3 VPSE、4 C2D、5 aSTEM、6/7 高級(jí)EDS探測(cè)和不同的背散射探測(cè)器，如aBSD1。
Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測(cè)器截面示意圖

靈活探測(cè)

Sigma配備了一系列不同的探測(cè)器，通過新探測(cè)技術(shù)對(duì)您的樣品進(jìn)行表征。使用ETSE和Inlens探測(cè)器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。使用VPSE或C2D探測(cè)器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。使用aSTEM探測(cè)器可進(jìn)行高分辨率透射電子成像。?采用不同的可選BSE探測(cè)器（如aBSD探測(cè)器）可以深入研究樣品的成分和表面形貌。  
標(biāo)準(zhǔn)VP |模式，氣體分布（粉紅色），電子束裙邊（綠色）。
NanoVP lite模式，氣體分布
標(biāo)準(zhǔn)VP（左）和NanoVP lite（右）模式，氣體分布（粉紅色），電子束裙邊（綠色）。

NanoVP lite模式

采用NanoVP lite模式進(jìn)行分析和成像，在低電壓條件下可獲得更高的圖像質(zhì)量，更快速地獲取更準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)。

●　在NanoVP lite模式下，裙邊效應(yīng)降低且入射束流的路徑長(zhǎng)度（BGPL）減小。裙邊減小會(huì)提高SE和BSE成像的信噪比。

●　帶有五段圓弧的伸縮式aBSD可提供出色的材料成分襯度：在NanoVP lite工作過程中，該探測(cè)器配備了安裝在極靴下方的束流套管，其可提供高通量及低電壓的成分和表面形貌高襯度成像，適用于可變壓力和高真空條件。

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應(yīng)用

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材料科學(xué)

探索聚合物、纖維、二硫化鉬等材料樣品的圖像。

對(duì)聚苯乙烯樣品表面進(jìn)行斷裂，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力

對(duì)斷裂的聚苯乙烯樣品表面進(jìn)行成像，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。 Sigma 560， 3 kV，60 Pa樣品倉壓力下的NanoVP lite模式，C2D G2。

 
用于藥物傳遞的MSC膠囊（中空介孔二氧化硅）。
由德國(guó)科隆大學(xué)無機(jī)化學(xué)研究所的V. Brune博士提供。

用于藥物傳遞的MSC膠囊（中空介孔二氧化硅）。背散射成像顯示了二氧化硅納米膠囊中的氧化鐵顆粒。Sigma 560，HDBSD，5 kV。

以低電壓成像的碳納米管（CNT）。

以低電壓成像的碳納米管（CNT）。Sigma 560，500 V，Inlens SE探測(cè)器。

氧化鋁（Al2O3）球體，在500 V表面信息敏感條件下高分辨率成像，可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度。

氧化鋁（Al2O3）球體。在500 V表面信息敏感條件下高分辨率成像，可以看到燒結(jié)顆粒的表面梯度，某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560，500 V，Inlens SE。

電池正極鋁箔顆粒表面。

電池正極鋁箔顆粒表面。利用材料成分襯度識(shí)別Li-NMC上的粘合劑（較暗的材料），使用aBSD成像。

利用化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)在Si/SiO2基材上生長(zhǎng)的MoS2 2D晶體：RISE圖像呈現(xiàn)出MoS2晶體的褶皺和重疊部分（綠色）、多層（藍(lán)色）及單層（紅色）結(jié)構(gòu)，圖像寬度32 μm。

利用化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)在Si/SiO2基材上生長(zhǎng)的MoS2?2D晶體：RISE圖像呈現(xiàn)出MoS2晶體的褶皺和重疊部分（綠色）、多層（藍(lán)色）及單層（紅色）結(jié)構(gòu)，圖像寬度32?μm。

生命科學(xué)

了解更多有關(guān)原生動(dòng)物或真菌的微觀和納米結(jié)構(gòu)信息，獲取切面樣品或薄片上的超微結(jié)構(gòu)。

在1 kV高真空條件下，使用ETSE探測(cè)器輕松完成放射蟲精細(xì)鏤空結(jié)構(gòu)成像，圖像寬度183 μm。

在1 kV高真空條件下，使用ETSE探測(cè)器輕松完成放射蟲精細(xì)鏤空結(jié)構(gòu)成像，圖像寬度183 μm。

在1 kV高真空條件下對(duì)蘑菇真菌孢子成像。使用Sigma 500可以在低電壓下對(duì)這些精巧脆弱的結(jié)構(gòu)輕松成像。

在1 kV高真空條件下對(duì)蘑菇真菌孢子成像。使用Sigma 500可以在低電壓下對(duì)這些精巧脆弱的結(jié)構(gòu)輕松成像。

Tricellaria inopinata
由挪威卑爾根大學(xué)薩斯海洋分子生物學(xué)中心的Anna Seybold和Harald Hausen提供。固著海洋生物苔蘚蟲Tricellaria inopinata的超微結(jié)構(gòu)，觀察視野為30 μm。使用蔡司Sigma 560采集，Sense BSD探測(cè)器，1 kV，30 pA。
使用連續(xù)切面成像的三維大腦超微結(jié)構(gòu)
由UCL眼科研究所的Peter Munro博士和Hannah Armer提供。

使用連續(xù)切面成像技術(shù)自動(dòng)采集的3D大腦超微結(jié)構(gòu)。星形細(xì)胞（青色）被識(shí)別和分割。

地球科學(xué)與自然資源

探索巖石、礦石和金屬。

 
在20 kV下使用YAG-BSD成像的巖石樣品，由于YAG晶體的光傳導(dǎo)性能可高速采集圖像。

在20 kV下使用YAG-BSD成像的巖石樣品，由于YAG晶體的光傳導(dǎo)性能可高速采集圖像。

硫化鎳礦石。礦物EDS面分布圖，圖像寬度3.1 mm。樣品由英國(guó)萊徹斯特大學(xué)提供。

硫化鎳礦石。礦物EDS面分布圖，圖像寬度3.1 mm。樣品由英國(guó)萊徹斯特大學(xué)提供。

鐵礦石礦物分析：鐵礦石礦物的拉曼光譜分析，掃描電子顯微鏡圖像和拉曼圖疊加。（赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍(lán)色）。

鐵礦石礦物分析：鐵礦石礦物的拉曼光譜分析，掃描電子顯微鏡圖像和拉曼圖疊加。（赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍(lán)色）。

鐵礦石礦物分析，拉曼光譜：赤鐵礦光譜的差異表征了其晶體取向的不同。（赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍(lán)色）。

鐵礦石礦物分析，拉曼光譜：赤鐵礦光譜的差異表征了其晶體取向的不同。（赤鐵礦為紅色、藍(lán)色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍(lán)色）。

含石榴石片麻巖的定量EDS主要元素?zé)釄D（Ca），突出了關(guān)鍵礦物中的地球化學(xué)分區(qū)。

含石榴石片麻巖的定量EDS主要元素?zé)釄D（Ca），突出了關(guān)鍵礦物中的地球化學(xué)分區(qū)。

工業(yè)應(yīng)用

了解如何對(duì)金屬、合金和粉末進(jìn)行研究。

非導(dǎo)電二氧化鈦納米顆粒

在40?Pa可變壓力模式下，使用C2D探測(cè)器輕松完成對(duì)顏料和遮光劑用非導(dǎo)電二氧化鈦顆粒的成像，圖像寬度10?μm。

在20 kV的暗場(chǎng)模式下，使用aSTEM探測(cè)器對(duì)25 – 50 nm氧化鐵顆粒成像。

在20 kV的暗場(chǎng)模式下，使用aSTEM探測(cè)器對(duì)25 – 50 nm氧化鐵顆粒成像。

在1 kV下使用aBSD對(duì)超導(dǎo)合金樣品成像。

在1 kV下使用aBSD對(duì)超導(dǎo)合金樣品成像。（比例尺20 μm）

氧化鋅枝晶

氧化鋅枝晶：檢測(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)電極的形態(tài)變化。Sigma，ETSE，5 kV。